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IRFP4468
N沟道261A 100V
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：261A 功率(Pd)：312.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2mΩ@10V,50A
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- IRFP4468
- 商品编号
- C41433072
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.87克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 261A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 312.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 168nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.132nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 532pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
N沟道增强型功率MOSFET采用先进的双沟槽技术,可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于电池管理系统(BMS)和大电流开关应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 100 V,漏极电流(ID) = 261 A,栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 2.5 mΩ
- 快速开关
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 高雪崩耐用性
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源