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MP40N30P
N沟道40A 300V
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：300V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：390W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.09Ω@10V,20A
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MP40N30P
- 商品编号
- C41433073
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.676克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 390W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
硅 N 沟道增强型 MOSFET,采用先进的 MOSFET 技术,可降低传导损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
- 快速开关
- 低 Crss
- 100% 雪崩测试
- 改善的 dv/dt 能力
- 符合 RoHS 标准的产品
应用领域
- 高频开关模式电源