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MD20N50H
N沟道20A 500V
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：230W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.23Ω@10V,10A
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MD20N50H
- 商品编号
- C41433075
- 商品封装
- TO-3PN
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 230W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 83nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
硅N沟道增强型MOSFET采用先进的MOSFET技术,可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
- VDS = 500 V,VGS = 10 V、ID = 20 A时,Rdson < 280 mΩ(典型值:230 mΩ)
- 快速开关
- 低Crss(典型值18 pF)
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 高频开关模式电源