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MPF20N65
N沟道20A 650V
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：48W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.39Ω@10V,10A
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPF20N65
- 商品编号
- C41433061
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 460mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
MPF20N65是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET,该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
- VDS = 650 V,VGS = 10 V、ID = 20 A时,Rdson < 460 mΩ(典型值:390 mΩ)
- 快速开关
- 低Crss(典型值15 pF)
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 高频开关模式电源