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MPG190N06P
N沟道190A 60V
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：190A 功率(Pd)：210W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5mΩ@10V,50A
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPG190N06P
- 商品编号
- C41433063
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.622克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 210W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 186nC | |
| 输入电容(Ciss) | 8.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 680pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 760pF |
商品概述
MPG190N06采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 60 V,ID = 190 A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 4 mΩ
- 高密度单元设计,降低导通电阻
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 高单脉冲雪崩能量,稳定性和一致性良好
- 采用散热性能优异的封装
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源