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MLS65R190F
N沟道20A 650V
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：43W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.19Ω@10V,10A
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MLS65R190F
- 商品编号
- C41433009
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.638克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 43W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.197nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.7pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 67pF |
商品概述
MLS65R190F是采用先进超结技术制造的硅N沟道增强型MOSFET,可降低导通损耗,提升开关性能。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- VDS = 650 V,ID = 20 A,RDS(ON) < 0.23 Ω@VGS = 10 V
应用领域
- PFC电源级
- 开关应用
- 适配器
- 电机控制
- DC - DC转换器