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NSG21814

大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片

描述: 700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：4/4A
品牌名称: WXNSIC(国硅集成)
商品型号: NSG21814
商品编号: C41414495
商品封装: SOP-14
包装方式: 编带
商品毛重: 0.26276克(g)

商品参数

商品概述

NSG21814是高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动系列芯片，具有两个独立传输通道，逻辑地与功率地分离，可以更好的减少功率级噪声对逻辑电路的干扰。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。

商品特性

自举工作的浮动通道
最高工作电压为700V
兼容3.3V, 5V和15V输入逻辑
dV/dt耐受能力可达±50V/nsec
Vs负压耐受能力达 - 9V
栅极驱动电压：10V到20V
高、低侧欠压锁定电路
欠压锁定正向阈值8.9V
欠压锁定负向阈值8.2V
芯片开通/关断传输延时：Ton/Toff = 130ns/130ns
高低侧延时匹配
驱动电流能力：拉电流/灌电流 = 1.9A/2.3A
符合RoSH标准
SOP8 (S)

应用领域

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动程序

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	2.3A
	拉电流(IOH)	1.9A

	属性	参数值
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	40ns
	下降时间(tf)	20ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	150uA