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NSG2113N
高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片
- 描述
- 700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、集成SD功能、拉/灌电流：4/4A、VSS/COM地隔离
- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- NSG2113N
- 商品编号
- C41414504
- 商品封装
- SOP-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376958克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 25ns | |
| 下降时间(tf) | 17ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
NSG2113N是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道。NSG2113N的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。NSG2113N内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。NSG2113N采用SOP16封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。
商品特性
- 自举工作的浮动通道
- 最高工作电压可达700V，兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- dVs/dt耐受能力可达±50V/nsec
- Vs负偏压能力达 -9V
- 栅极驱动电压范围10V - 20V
- 宽温度范围 -40~125°C
- 集成欠压锁定功能
- 周期性边缘触发关断逻辑
- 输入输出同相位逻辑和电源地±5V偏移
- 芯片开通关断延时特性：Ton/Toff = 130ns/130ns
- 高低侧延时匹配
- 驱动电流能力：拉电流/灌电流 = 4.0A/4.0A
- 高、低侧欠压锁定电路
- 欠压锁定正向阈值8.9V
- 欠压锁定负向阈值8.2V
- 符合RoSH标准SOP16
应用领域
- 通用逆变器
- 交流和直流电源中的半桥和全桥转换器
- 用于服务器、电信、IT和工业基础设施的高密度开关电源
- 太阳能逆变器、电机驱动器和UPS