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NSG21271
带过流检测的单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片
- 描述
- 300V 单通道高侧驱动、拉/灌电流：0.3/0.6A
- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- NSG21271
- 商品编号
- C41414525
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.174498克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 600mA | |
| 拉电流(IOH) | 300mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 8V~20V | |
| 上升时间(tr) | 80ns | |
| 下降时间(tf) | 40ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过流保护(OCP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 60uA |
商品概述
NSG21271是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达300 V。采用SOP8封装，可以在 -40 °C至125 °C温度范围内工作。
商品特性
- 自举工作的浮地通道最高工作电压为 +300 V
- 兼容3.3V, 5V和15V输入逻辑
- dV/dt耐受能力可达 ±50 V/ns
- Vs负偏压能力达 -5V
- 输入输出同相位
- 栅极驱动电压从8 V到22V
- 集成欠压锁定电路，欠压阈值6.8V/7.2V
- 芯片传输延时特性，开通/关断传输延时Ton/Toff = 150 ns/150 ns
- 宽温度范围 -40 °C ~ 125 °C
- Fault引脚故障输出
- 符合RoSH标准
- SOP8 (S)
应用领域
- 电机控制和驱动
- 机器人技术
- 电动汽车快速充电