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NSG7385

双高侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

描述: 700V 双通道高侧驱动、拉/灌电流：0.35/0.65A
品牌名称: WXNSIC(国硅集成)
商品型号: NSG7385
商品编号: C41414530
商品封装: SOP-14
包装方式: 编带
商品毛重: 0.26276克(g)

商品参数

商品概述

NSG7385是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片。集成了两路独立的高侧驱动电路，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。采用SOP14封装，可以在 -40 °C至125 °C温度范围内工作。

商品特性

自举工作的浮地通道
最高工作电压为 +700V
兼容3.3V, 5V和15V输入逻辑
dVs/dt耐受能力可达±50 V/ns
Vs负偏压能力达 -9V
集成VDD/VBS欠压锁定电路
欠压锁定正向阈值8.9V
欠压锁定负向阈值8.2V
芯片传输延时特性
开通/关断传输延时Ton/Toff = 130ns/130ns
宽温度范围 -40 °C~125 °C
输出级拉电流/灌电流能力350mA/650mA
符合RoSH标准

应用领域

电机控制
空调
洗衣机
通用逆变器
逆变器驱动

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	高边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	650mA
	拉电流(IOH)	350mA

	属性	参数值
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	50ns
	下降时间(tf)	30ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	240uA