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NSG0360
带LDO的三相PMOS+NMOS半桥驱动芯片
- 描述
- NSG0360是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达30V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。逻辑兼容CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑输入。
- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- NSG0360
- 商品编号
- C41416011
- 商品封装
- SOP-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376958克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 6 | |
| 灌电流(IOL) | 300mA | |
| 拉电流(IOH) | 50mA | |
| 工作电压 | 5V~24V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 300ns | |
| 下降时间(tf) | 60ns | |
| 传播延迟 tpLH | 80ns | |
| 传播延迟 tpHL | 30ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过热保护(OPT) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 500uA |
商品概述
NSG0360是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达30V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。逻辑兼容CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑输入。此外，采用内置死区功能来避免高压侧交叉导通。NSG0360为PMOS和NMOS输出10V门电源电压，为了简化PCB设计，NSG0360中集成了一个5V/40mA的LDO，用于为MCU或其他芯片供电。此外出于安全考虑，NSG0360还集成了热关闭保护。
商品特性
- P/N MOS半桥式三相输出最高工作电压可达30V
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- dv/dt耐受能力可达±50V/ns
- P/NMOS |VGS|可达10V
- 内置5V/40mA LDO
- 内置过温保护功能
- 栅极驱动电压： - 5V至30V
- 宽温度范围 - 40~125℃
- 防直通逻辑 - 内置130ns死区时间
- 芯片开通关断延时特性 - Ton/Toff = 80ns/30ns
- 高低侧延时匹配
- 驱动电流能力 - 拉电流/灌电流 = 50mA/300mA
- 内置欠压锁定电路
- 欠压锁定正向阈值4.5V
- 欠压锁定负向阈值4.3V
- 符合RoSH标准SOP16
应用领域
- 中小型功率电机驱动
- 功率MOSFET驱动
- 半桥/全桥电源转换器
- 任何互补驱动转换器