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NSG21281

描述: NSG21281是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。
品牌名称: WXNSIC(国硅集成)
商品型号: NSG21281
商品编号: C41414528
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.174498克(g)

商品参数

商品概述

NSG21281是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达300V。采用SOIC8封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

商品特性

自举工作的浮地通道
最高工作电压为 +300V
兼容3.3V, 5V和15V输入逻辑
dVₛ/dt耐受能力可达 ±50V/ns
Vs负偏压能力达 -5V
输入输出同相位
栅极驱动电压：从8.2V到20V
集成欠压锁定电路，欠压阈值6.8V/7.2V
芯片传输延时特性：开通/关断传输延时Ton/Toff = 150ns/150ns
宽温度范围 -40°C~125°C
Fault引脚故障输出
符合RoSH标准
SOIC8 (S)

应用领域

电机控制和驱动
机器人技术
电动汽车快速充电

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	高边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	600mA
	拉电流(IOH)	300mA
	工作电压	10V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	80ns
	下降时间(tf)	40ns
	传播延迟 tpLH	150ns
	传播延迟 tpHL	150ns
	特性	过流保护
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	60uA