温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NSG21844

大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 700V N+N半桥驱动、单输入（IN&/SD）、集成SD功能,拉/灌电流：4/4A
品牌名称: WXNSIC(国硅集成)
商品型号: NSG21844
商品编号: C41414498
商品封装: SOP-14
包装方式: 编带
商品毛重: 0.26276克(g)

商品参数

商品概述

NSG21844 是高压、高速功率MOSFET/IGBT 高低侧驱动系列芯片，逻辑地与功率地分离，可以更好的减少功率级噪声对逻辑电路的干扰。通过外部电阻可以灵活配置死区时间。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V 的CMOS 或LSTTL 逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N 沟道高压功率MOSFET/IGBT 等器件。

商品特性

自举工作的浮动通道最高工作电压为700V
兼容3.3V 和5V 输入逻辑
单输入（IN）双输出逻辑
关断输入逻辑可同时关闭高低侧输出
死区时间可通过外部电阻（RDT）调节：DT = 400ns (RDT = 0)；DT = 5μs (RDT = 200kΩ)
dV/dt 误动作防止功能
栅极驱动电压：10V 到20V
高、低侧欠压锁定电路
欠压锁定正向阈值8.9V
欠压锁定负向阈值8.2V
高低侧延时匹配
逻辑地与功率地分离
驱动电流能力：拉电流/灌电流 = 4A/4A
符合RoSH 标准
SOP14 封装

应用领域

通用逆变器
交流和直流电源中的半桥和全桥转换器
用于服务器、电信、IT 和工业基础设施的高密度开关电源
太阳能逆变器、电机驱动器和UPS

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

9折

购买数量

(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个3000个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交2单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	4A
	工作电压	10V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	25ns
	下降时间(tf)	17ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	200uA