温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NSG6021

大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：4/4A
品牌名称: WXNSIC(国硅集成)
商品型号: NSG6021
商品编号: C41414502
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.174498克(g)

商品参数

商品概述

NSG6021 是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT 高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V 的CMOS 或LSTTL 逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达 700V 。可用于驱动N 沟道高压功率MOSFET/IGBT 等器件。

商品特性

自举工作的浮动通道
最高工作电压为 700V
兼容3.3V, 5V 和15V 输入逻辑
dV/dt 耐受能力可达 ±50 V/nsec
Vs 负压耐受能力达-9V
栅极驱动电压： 10V 到20V
高、低侧欠压锁定电路
- 欠压锁定正向阈值8.9V
- 欠压锁定负向阈值8.2V
芯片开通/关断传输延时
- Ton/Toff =130ns/130ns
防止直通保护
- 死区时间250ns
高低侧延时匹配
驱动电流能力：
- 拉电流/灌电流 =4.0A/4.0A
符合RoSH 标准
SOP8 (S)

应用领域

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动程序

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

9.5折

购买数量

(4000个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个4000个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交6单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	4A

	属性	参数值
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	40ns
	下降时间(tf)	20ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	150uA