HIP6602BCBZ
HIP6602BCBZ
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- HIP6602BCBZ
- 商品编号
- C3655565
- 商品封装
- SOIC-14
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.299克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 全桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 4 | |
| 灌电流(IOL) | 730mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 580mA | |
| 工作电压 | 5V~12V | |
| 上升时间(tr) | 20ns | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 工作温度 | 0℃~+85℃ |
商品概述
HIP6602B是一款高频双功率通道MOSFET驱动器，专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动四个功率N沟道MOSFET而设计。该器件有14引脚SOIC封装或带散热焊盘的16引脚QFN封装可供选择，散热焊盘可增强封装的散热性能。这些驱动器与HIP63xx或ISL65xx系列多相降压PWM控制器以及MOSFET相结合，可为先进的微处理器提供完整的核心电压调节解决方案。 HIP6602B可在5V至12V的范围内驱动上、下栅极。这种驱动电压的灵活性有利于在开关损耗和传导损耗之间进行权衡，从而优化应用。 HIP6602B中的输出驱动器能够在高频下高效地切换功率MOSFET。每个驱动器能够驱动3000pF的负载，传播延迟为30ns，转换时间为50ns。该器件通过为每个功率通道配备一个外部电容和电阻，实现上栅极的自举功能。这降低了实现的复杂度，并允许使用高性能、高性价比的N沟道MOSFET。集成了自适应直通保护功能，可防止两个MOSFET同时导通。
商品特性
- 驱动四个N沟道MOSFET
- 自适应直通保护
- 内部自举器件
- 支持高开关频率 - 快速输出上升时间 - 传播延迟30ns
- 小型14引脚SOIC封装
- 更小的16引脚热增强型QFN封装
- 5V至12V栅极驱动电压，实现最佳效率
- 用于桥接关断的三态输入
- 电源欠压保护
- 提供无铅加退火工艺产品（符合RoHS标准）
- QFN封装： - 符合JEDEC PUB95 MO - 220 QFN（四方扁平无引脚）封装外形 - 接近芯片级封装尺寸，提高了PCB效率，且外形更薄
应用领域
- 英特尔奔腾III和AMD速龙微处理器的核心电压电源
- 高频、薄型DC/DC转换器
- 大电流、低电压DC/DC转换器
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
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