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A89500GEJTR-T实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

A89500GEJTR-T

适用于高功率感性负载的半桥MOSFET驱动器,具备交叉传导保护和低功耗睡眠模式

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商品型号
A89500GEJTR-T
商品编号
C3655583
商品封装
DFN-10(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
1.596克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数1
灌电流(IOL)2.7A
拉电流(IOH)2.7A
属性参数值
工作电压8V~15V
上升时间(tr)105ns
下降时间(tf)46ns
工作温度-40℃~+105℃
功能特性使能关断;内置自举二极管;交错导通保护

商品概述

A89500是一款N沟道功率MOSFET驱动器,能够控制以半桥形式连接的MOSFET,桥接电源电压最高可达100V。它专为高功率感性负载应用而设计,如有刷直流电机、螺线管和执行器,并且与12V、24V和48V电源网络兼容。 内部逻辑可防止栅极驱动输出同时开启,从而避免交叉导通。每个MOSFET由一个独立的逻辑电平输入控制,该输入与3.3V和5V逻辑兼容。 A89500可通过第三个离散输入进入低功耗睡眠模式。它需要一个8至15V的单电源为栅极驱动器供电。 A89500采用10引脚DFN封装(后缀EJ),具有可焊侧翼和外露散热焊盘。该封装无铅,引脚框架采用100%雾锡电镀。

商品特性

  • 半桥MOSFET驱动器
  • AEC - Q100认证(K版本)
  • 适用于12V、24V和48V电源网络
  • 桥接电源最高可工作在100V
  • 8至15V电源电压
  • 用于N沟道MOSFET桥的自举栅极驱动
  • 交叉导通保护
  • 独立MOSFET控制
  • 低功耗睡眠模式
  • 电源欠压锁定

数据手册PDF