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MASTERGAN4

MASTERGAN4

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描述
具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器
商品型号
MASTERGAN4
商品编号
C3655586
商品封装
QFN-31(9x9)​
包装方式
托盘
商品毛重
0.18克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
工作电压4.75V~9.5V
属性参数值
下降时间(tf)70ns
特性过热保护(OTP)
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

一款先进的电源系统级封装产品,采用半桥配置集成了一个栅极驱动器和两个增强型氮化镓(GaN)功率晶体管。集成的功率GaN晶体管的漏源极阻断电压为650 V,导通电阻RDS(ON)为225 mΩ,而嵌入式栅极驱动器的高端可通过集成的自举二极管轻松供电。

商品特性

  • 集成半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管的600 V系统级封装
  • QFN 9x9x1 mm封装,RDS(ON)=225 mΩ,IDS(MAX)=6.5 A
  • 反向电流能力
  • 零反向恢复损耗
  • 低端和高端欠压锁定(UVLO)保护
  • 内部自举二极管
  • 互锁功能
  • 用于关断功能的专用引脚
  • 精确的内部时序匹配
  • 3.3 V至15 V兼容输入,带迟滞和下拉功能
  • 过温保护
  • 减少物料清单
  • 非常紧凑且简化的布局
  • 灵活、简便且快速的设计

应用领域

  • 开关模式电源
  • 充电器和适配器
  • 高压功率因数校正(PFC)、直流-直流(DC-DC)和直流-交流(DC-AC)转换器

数据手册PDF