UCC27211AD

UCC27211A驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器，但该器件在性能上有显著提升。其峰值输出上拉和下拉电流提升至4 A源电流和4 A灌电流，上拉和下拉电阻降至0.9 Ω，从而能够驱动大功率MOSFET，在MOSFET穿越米勒平台的过渡过程中，将开关损耗降至最低。输入结构可直接承受–10 VDC，增强了器件的稳健性，还能在不使用整流二极管的情况下直接与栅极驱动变压器连接。输入还不受电源电压影响，最大额定值为20 V。 UCC27211A的开关节点（HS引脚）最大可承受–18 V，这使得高端通道能够抵御由寄生电感和杂散电容引起的固有负电压。UCC27210A（伪CMOS输入）和UCC27211A（TTL输入）的迟滞增加，能够与模拟或数字PWM控制器连接，增强了抗噪能力。 低端和高端栅极驱动器可独立控制，且导通和关断之间的匹配时间为2 ns。 片上额定电压为120 V的自举二极管省去了外部分立二极管。高端和低端驱动器均具备欠压锁定功能，可实现对称的导通和关断行为，若驱动电压低于指定阈值，将强制输出为低电平。 UCC27211A器件采用8引脚SOIC（D）和8引脚VSON（DRM）封装。

• 采用独立输入，可在高端和低端配置中驱动两个N沟道MOSFET
• 最大自举电压120 V DC
• 4 A灌电流、4 A源电流输出
• 0.9 Ω上拉和下拉电阻
• 输入引脚可承受–10 V至+20 V电压，且不受电源电压范围影响
• 具备TTL或伪CMOS兼容输入版本
• VDD工作范围为8 V至17 V（绝对最大20 V）
• 负载为1000 pF时，上升时间7.2 ns，下降时间5.5 ns
• 快速传播延迟时间（典型值20 ns）
• 4 ns延迟匹配
• 高端和低端驱动器具备对称欠压锁定功能
• 提供所有行业标准封装
• 工作温度范围为–40℃至+140℃

• 电信、数据通信以及商用半桥和全桥转换器的电源
• 推挽式转换器
• 高压同步降压转换器
• 双开关正激式转换器
• 有源钳位正激式转换器
• D类音频放大器