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SVF4N65M
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
- 描述
- SVF4N65F/M/MJ/D 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用专有的 F 型元胞结构 VDMOS 技术制造。改进后的工艺和元胞结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供出色的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC-DC 电源、DC-DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器
- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVF4N65M
- 商品编号
- C403822
- 商品封装
- TO-251D-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 77W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 430pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
SVF4N65F/M/MJ/D 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用硅晶专有 F-Cell 结构的 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件广泛应用于 AC-DC 电源、DC-DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器。
商品特性
- 4A、650V，VGS = 10V 时，RDS(on)（典型值）= 2.3 Ω
- 低栅极电荷
- 低 Crss
- 快速开关
- 改进的 dv/dt 能力
应用领域
- AC-DC 电源
- DC-DC 转换器
- H 桥 PWM 电机驱动器