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SVF4N70F
4A、700V N沟道MOSFET
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- 描述
- SVF4N70F/D是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用专有的F- Cell结构VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器
- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVF4N70F
- 商品编号
- C403823
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 497.67pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 56.43pF |
商品概述
SVF4N70F/D是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰微专有的F-Cell™结构VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。
商品特性
- 4A、700V，RDS(on)（典型值）=2.5Ω@VGS=10V
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- AC-DC电源-DC-DC转换器-H桥PWM电机驱动器