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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.94nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.039nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SVF6N70F是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用士兰微自主研发的F-CellTM结构VDMOS技术制造。经过改进的平面条形单元和优化的保护环终端,能够有效降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。
商品特性
- 6A、700V,RDS(on)(典型值)=1.35Ω(VGS=10V时)
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 增强的dv/dt能力
应用领域
-AC-DC电源-DC-DC转换器-H桥PWM电机驱动器