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SVS7N65FJD2
SVS7N65FJD2
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- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVS7N65FJD2
- 商品编号
- C403827
- 商品封装
- TO-220FJ-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC | |
| 输入电容(Ciss) | 423pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 27pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)(S)D2是一款采用士兰微超结MOS技术生产的N沟道增强型高压功率MOSFET。它实现了低导通损耗和开关损耗,使设计工程师能够设计出具有高效率、高功率密度和卓越热性能的电源转换器。此外,它具有广泛的适用性,例如,适用于硬开关和软开关拓扑、照明、适配器等。
商品特性
- 7A、650V,RDS(on)(典型值) = 0.55 Ω @ VGS = 10 V
- 全新革命性高压技术
- 超低栅极电荷
- 增强的雪崩能力
- 极高的dv/dt额定值
- 高峰值电流能力