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SVS11N65FJD2
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
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- 描述
- SVS11N65D/F/S/FJD2是一款采用超结MOS技术制造的N沟道增强型高压功率MOSFET。它实现了低传导损耗和开关损耗，能助力设计工程师打造出高效、高功率密度且散热性能卓越的电源转换器。
- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVS11N65FJD2
- 商品编号
- C403826
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 632pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 37pF |
商品特性
- 坚固可靠
- 低栅极电荷和漏源导通电阻（RDS(on)）
- 静电放电（HBM）保护高达2KV
- 栅源电压（VGS）=10V时，漏源导通电阻（RDS(on)）<3.5Ω
应用领域
- 固态继电器
- 电池供电系统
- 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
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