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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FQP11N40

N沟道,电流:11.4A,耐压:400V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FQP11N40
商品编号
C3290387
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.68克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)11.4A
导通电阻(RDS(on))480mΩ@10V
耗散功率(Pd)147W
阈值电压(Vgs(th))5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)35nC@10V
输入电容(Ciss)1.4nF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)240pF

商品特性

  • 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
  • 低有效电容 (Ciss)
  • 降低开关和传导损耗
  • 超低栅极电荷 (Qg)
  • 雪崩能量额定 (UIS)
  • 集成齐纳二极管静电放电保护

应用领域

  • 服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源

数据手册PDF