FQP17N08
N沟道,电流:16.5A,耐压:80V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP17N08
- 商品编号
- C3290278
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品特性
- 雪崩耐用技术
- 坚固栅氧化层技术
- 更低的输入电容
- 改善的栅极电荷
- 175°C工作温度
- 扩展的安全工作区
- 更低的漏电流：在VDS = -100 V时为 -10 μA（最大值）
- 低RDS(ON)：0.161 Ω（典型值）