NTP125N02R
125A, 24V N沟道 MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTP125N02R
- 商品编号
- C3290238
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 24V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 113.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.44nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 640pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.67nF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET产品采用了专有的STripFET技术第六代设计规则，具备全新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均展现出最低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 平面HD3e工艺,实现快速开关性能
- 体二极管具有低反向恢复时间(trr)和反向恢复电荷(Qrr),并针对同步操作进行优化
- 低输入电容(Ciss),以最小化驱动损耗
- 优化的栅极-漏极电荷(Qgd)和导通电阻(RDS(on)),提供直通保护
- 低栅极电荷
- 提供无铅封装
应用领域
- 开关应用