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IPD60R800CEAUMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPD60R800CEAUMA1

1个N沟道 耐压:600V 电流:8.4A

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商品型号
IPD60R800CEAUMA1
商品编号
C3289177
商品封装
TO-252-3-344​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)8.4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)800mΩ@2A,10V
属性参数值
功率(Pd)74W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.5V@170uA
栅极电荷(Qg@Vgs)17.2nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)373pF@100V
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计。CoolMOS CE是一个经过性价比优化的平台,在满足最高效率标准的同时,能够瞄准消费和照明市场中对成本敏感的应用。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势,同时不牺牲易用性,并提供市场上最佳的降本性能比。

商品特性

  • 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低
  • 极高的换向鲁棒性
  • 易于使用/驱动
  • 无铅镀层,无卤模塑料
  • 适用于标准等级应用

应用领域

  • 例如PC主机、适配器、液晶和等离子电视以及室内照明等设备的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级。

数据手册PDF