IPG20N04S408AATMA1
双N沟道,电流:20A,耐压:40V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPG20N04S408AATMA1
- 商品编号
- C3288863
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@30uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.94nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 720pF |
商品特性
- N沟道 - 增强型
- 通过 AEC Q101 认证
- 最高 260°C 峰值回流温度下达到 MSL1 等级
- 工作温度达 175°C
- 绿色产品（符合 RoHS 标准）
- 100% 雪崩测试
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