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TSM045NA03CR RLG

N沟道,电流:108A,耐压:30V

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM045NA03CR RLG
商品编号: C3288719
商品封装: PDFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品特性

低导通电阻RDS(ON)，以尽量降低传导损耗
逻辑电平
低栅极电荷，实现快速功率开关
100%进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）和浪涌电流（Rq）测试
符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准，以及指令2002/96/EC的WEEE标准
根据IEC 61249-2-21标准，无卤

应用领域

无刷直流（BLDC）电机控制
电信电源
初级和次级侧开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	108A
	导通电阻(RDS(on))	4.5mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	89W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	19nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.194nF
	反向传输电容(Crss)	97pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	421pF