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DMT12H090LFDF4-13
1个N沟道 耐压:115V 电流:3.4A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT12H090LFDF4-13
- 商品编号
- C3282102
- 商品封装
- X2-DFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 115V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@3V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 251pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(10000个/圆盘，最小起订量 10000 个)个
起订量：10000 个10000个/圆盘
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