DMT12H090LFDF4-13
1个N沟道 耐压:115V 电流:3.4A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT12H090LFDF4-13
- 商品编号
- C3282102
- 商品封装
- X2-DFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 115V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@3V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 251pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 0.4mm厚度 —— 非常适合薄型应用
- 4平方毫米的PCB占位面积
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试 —— 确保最终应用更可靠、更耐用
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- DC-DC主开关
- 负载开关