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DMG3415UFY4Q-7
1个P沟道 耐压:16V 电流:2.5A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，适用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG3415UFY4Q-7
- 商品编号
- C3282101
- 商品封装
- X2-DFN2015-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 16V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 282pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 152pF |
商品概述
这款MOSFET经过精心设计，在最大程度降低导通电阻 RDS(on) 的同时，还能保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 静电放电(ESD)保护高达3kV
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 具备生产件批准程序(PPAP)能力
应用领域
-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器