FDMC0310AS-F127-L701
1个N沟道 耐压:30V 电流:19A 电流:21A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC0310AS-F127-L701
- 商品编号
- C3282051
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.165nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.175nF |
商品概述
FDMC0310AS专为最大限度降低功率转换应用中的损耗而设计。结合了硅和封装技术的进步，在保持出色开关性能的同时，实现了最低的导通电阻rDS(on)。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 19 A时,最大导通电阻rDS(on) = 4.4 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 17.5 A时,最大导通电阻rDS(on) = 5.2 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合,实现低导通电阻rDS(on)和高效率
- 同步场效应晶体管(SyncFET)肖特基体二极管
- 符合MSL1标准的坚固封装设计
- 经过100%单脉冲雪崩能量(UIL)测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器的同步整流器-笔记本电脑Vcore/GPU低端开关-网络负载点低端开关-电信次级侧整流