FQAF33N10
N沟道,电流:25.8A,耐压:100V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQAF33N10
- 商品编号
- C3281828
- 商品封装
- TO-3PF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.206克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 420pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源，适用于使用体二极管的应用，如移相ZVS、基本全桥拓扑。
商品特性
- 28.4A、500V，VGS = 10V时，RDS(on) = 0.16Ω
- 低栅极电荷（典型值110nC）
- 低Crss（典型值60pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 快速恢复体二极管（最大值250ns）