NP161N04TUG-E1-AY
N沟道,电流:160A,耐压:40V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP161N04TUG-E1-AY
- 商品编号
- C3281639
- 商品封装
- TO-263-6
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 345nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 20.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.35nF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.8nF |
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