RFD16N05LSM
1个N沟道 耐压:50V 电流:16A
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- RFD16N05LSM
- 商品编号
- C3281453
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 导通电阻rDS(ON) = 20 mΩ（典型值），栅源电压VGS = 5 V，漏极电流ID = 36 A
- 总栅极电荷Qg(tot) = 16 nC（典型值），栅源电压VGS = 5 V
- 低米勒电荷
- 低反向恢复电荷体二极管
- 具备非钳位感性开关（UIS）能力（单脉冲和重复脉冲）
- 符合AEC Q101标准
应用领域
- 电机/车身负载控制
- 防抱死制动系统（ABS）
- 动力总成管理
- 喷射系统
- 直流-直流转换器和离线式不间断电源（UPS）
- 分布式电源架构和电压调节模块（VRM）
- 12V和24V系统的初级开关