RFM3N45
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关型DC/DC转换器、开关电源、不间断电源用DC-AC转换器以及电机控制。
商品特性
- 3A、450V和500V
- 导通电阻rDS(on) = 3Ω
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
- 多数载流子器件
应用领域
- 高效开关型DC/DC转换器
- 开关电源
- 不间断电源用DC-AC转换器
- 电机控制