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2SK3635-Z-E1-AZ

1个N沟道耐压:200V 电流:8A

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: 2SK3635-Z-E1-AZ
商品编号: C3281257
商品封装: TO-252(MP-3Z)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.437克(g)

商品参数

商品概述

这些是N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管。它们是先进的功率MOSFET，经过设计、测试并保证能在击穿雪崩工作模式下承受特定水平的能量。所有这些功率MOSFET均适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器，以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。

商品特性

2.6A和3.1A、350V和400V
rDS(ON) = 1.8Ω和2.5Ω
单脉冲雪崩能量额定值
安全工作区受功率耗散限制
纳秒级开关速度
线性传输特性
高输入阻抗

应用领域

-计算机-办公设备-通信设备-测试与测量设备-视听设备-家用电子电器-机床-个人电子设备-工业机器人-运输设备(汽车、火车、轮船等)-交通控制系统-防灾系统-防犯罪系统-安全设备-非专门用于生命支持的医疗设备

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	8A
	导通电阻(RDS(on))	430mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	24W
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V
	栅极电荷量(Qg)	12nC@10V
	输入电容(Ciss)	390pF
	类型	N沟道