FDC796N
30V,12.5A,30V N沟道 MOSFET
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC796N
- 商品编号
- C3280332
- 商品封装
- SSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.444nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压VGS(TH) < 1 V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 互补对MOSFET
- 超小表面贴装封装
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用；该产品符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序（PPAP）文件，且在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
-开关