RM2312
N沟道增强型MOSFET,电流:4.5A,耐压:20V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM2312
- 商品编号
- C3280123
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术
- 低 RDS(on)
- 低栅极电荷
- 符合RoHS标准且无卤
商品特性
- VDS = 20V,ID = 4.5A
- 在VGS = 1.8V时,RDS(ON) < 45 mΩ
- 在VGS = 2.5V时,RDS(ON) < 40 mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 33 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理