RM3400
N沟道,电流:5.8A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM3400
- 商品编号
- C3280121
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 66pF |
商品概述
RM3400采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 5.8A
- 在VGS = 2.5V时,RDS(ON) < 59mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 45mΩ
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 41mΩ
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 采用表面贴装封装
- 无卤素
应用领域
- 负载开关