RM2309E
P沟道增强型功率MOSFET,电流:-3.5A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM2309E
- 商品编号
- C3280114
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这新一代产品采用先进的平面技术MOSFET，具备出色的高电压和快速开关特性，非常适合小信号和电平转换应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -3.5A
- 当VGS = -10V时,RDS(ON) < 38mΩ
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 70mΩ
- ESD等级:2000V HBM
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
-负载开关