FDFS2P103
P沟道,电流:-5.3A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDFS2P103
- 商品编号
- C3279854
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 92mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 528pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET具有极低的RDS（导通）电阻和真正的逻辑电平性能。它们能够在雪崩和换向模式下承受高能量，并且漏源二极管具有极短的反向恢复时间。MiniMOS器件专为对功率效率要求较高的低压、高速开关应用而设计。规定了雪崩能量，可避免在开关感性负载的设计中进行猜测，并为应对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 极低的RDS（导通）电阻，可提高效率并延长电池寿命
- 逻辑电平栅极驱动，可由逻辑IC驱动
- 微型SO - 8表面贴装封装，节省电路板空间
- 二极管特性适用于桥接电路
- 二极管具有高速、软恢复特性
- 规定了高温下的IDSS
- 规定了雪崩能量
- 提供SO - 8封装的安装信息
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、手机和无绳电话）的电源管理
- 大容量存储产品（如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制