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IPB65R380C6实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPB65R380C6

1个N沟道 耐压:650V 电流:10.6A

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商品型号
IPB65R380C6
商品编号
C3279237
商品封装
TO-263​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)10.6A
导通电阻(RDS(on))380mΩ@10V
耗散功率(Pd)83W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V@0.32mA
栅极电荷量(Qg)39nC@10V
输入电容(Ciss)710pF
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
输出电容(Coss)41pF

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。CoolMOS C6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。由此产生的器件在不牺牲易用性的前提下,具备快速开关SJ MOSFET的所有优势。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。

商品特性

  • 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低
  • 极高的换向鲁棒性
  • 易于使用/驱动
  • 通过JEDEC认证,无铅电镀,无卤素

应用领域

  • 例如PC电源、适配器、液晶与等离子电视、照明、服务器、电信和UPS等设备的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关PWM级。

数据手册PDF