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IPS70R600P7SAKMA1

1个N沟道耐压:700V 电流:8.5A

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPS70R600P7SAKMA1
商品编号: C3278977
商品封装: TO-251-3
包装方式: 管装
商品毛重: 0.32克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个经过优化的平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而定制，如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时拥有出色的性价比和先进的易用性。这项技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

商品特性

~~- 由于极低的品质因数RDS(ON)*Qg和RDS(ON)*Eoss,损耗极低-出色的热性能-集成ESD保护二极管-低开关损耗(Eoss)-产品符合JEDEC标准进行验证

应用领域

例如用于充电器、适配器、照明应用的反激式拓扑结构

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	类型	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	700V
	连续漏极电流(Id)	8.5A
	导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)	600mΩ@1.8A,10V

	属性	参数值
	功率(Pd)	43W
	阈值电压(Vgs(th)@Id)	3.5V@90uA
	栅极电荷(Qg@Vgs)	10.5nC@10V
	输入电容(Ciss@Vds)	364pF@400V
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)