IRFD9123
1个P沟道 耐压:100V 电流:1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- IRFD9123
- 商品编号
- C3278153
- 商品封装
- HVMDIP-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 属于 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列。与上一代 MDmesh 产品相比，DM6 结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），每单位面积的导通电阻（RDS(on)）显著改善，同时具备市场上针对高要求高效桥拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器最有效的开关特性之一。
商品特性
- -1.0A 和 -0.8A,-80V 和 -100V
- rDS(ON) = 0.6Ω 和 0.8Ω
- 单脉冲雪崩能量额定值
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
应用领域
- 开关应用