- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HGT1S20N60C3R
HGT1S20N60C3R
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- HGT1S20N60C3R
- 商品编号
- C3191151
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 164W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 80A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V；1.8V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.2V@15V,20A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 116nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 34ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 330ns；390ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款IGBT系列专为电机控制操作以及其他高压开关应用而设计，以实现最佳性能。这些器件在承受严苛的短路耐受时间（SCWT）条件时，展现出强大的性能。它们具有超快（UFS）开关速度，同时导通损耗保持在较低水平。 电气规格包括典型的导通和关断dv/dt额定值。这些额定值以及导通额定值包含了测试电路中二极管的影响（图16）。数据是在二极管与被测IGBT处于相同的Td温度下获得的。
商品特性
- +40A，600V，Tj = 25°C
- 600V开关安全工作区能力
- 典型下降时间（τJ = 150°C）：330ns
- 短路额定值（τJ = 150°C）：10μs
- 低导通损耗