HGTG30N60C3
HGTG30N60C3
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- HGTG30N60C3
- 商品编号
- C3193345
- 商品封装
- SUPER-247(TO-274AA)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 63A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 1.8V@15V,30A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 250nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 40ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 320ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.05mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.5mJ | |
| 工作温度 | - |
商品概述
HGTG30N60C3是一种MOS栅极高压开关器件，结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。该器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通状态传导损耗。在25°C至150°C之间，低得多的导通状态电压降变化适中。
该IGBT非常适合许多在中等频率下运行的高压开关应用，在这些应用中，低传导损耗至关重要，例如：交流和直流电机控制、电源以及螺线管、继电器和接触器的驱动器。
商品特性
- 在τc = 25°C时，63A、600V
- 600V开关安全工作区能力
- 在TJ = 150°C时，典型下降时间为230ns
- 短路额定值
- 低传导损耗
应用领域
- 交流和直流电机控制
- 电源
- 螺线管、继电器和接触器的驱动器