IGTH20N40D
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 400V | |
| 集电极电流(Ic) | 20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
N沟道增强型导电调制功率场效应晶体管——为开关应用优化的IGBT。为电机驱动应用优化的IGBT。通过第四个端子，这些器件提供了一种非侵入式方法来监测集电极到发射极的电流。
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 400V | |
| 集电极电流(Ic) | 20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 工作温度 | - |
N沟道增强型导电调制功率场效应晶体管——为开关应用优化的IGBT。为电机驱动应用优化的IGBT。通过第四个端子，这些器件提供了一种非侵入式方法来监测集电极到发射极的电流。