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MJF20N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.15Ω
- 品牌名称
- MP(美禄科技)
- 商品型号
- MJF20N65
- 商品编号
- C34373730
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.743克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V@2250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32.23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.547nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 134pF |
商品特性
- 650V、47A，RDS(ON)（典型值）= 82 mΩ（VGS = 10 V 时）
- 先进超结技术
- 栅极开关易于控制
- 增强型：VGS(th) = 3 至 5 V
应用领域
- 电动汽车充电、不间断电源应用
- 太阳能逆变器、服务器电源、电信电源
- 升压功率因数校正（PFC）开关、半桥或不对称半桥或串联谐振半桥及全桥拓扑结构