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MJQ80N65F
1个N沟道 耐压:650V 电流:80A
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：1200V 连续漏极电流(Id)：4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.9Ω
- 品牌名称
- MP(美禄科技)
- 商品型号
- MJQ80N65F
- 商品编号
- C34373733
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.745克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 158.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.033nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 169pF |
商品特性
- 650V、80A,RDS(ON)(典型值)= 34 mΩ(VGS = 10 V 时)
- 先进的超结技术
- 栅极开关易于控制
- 经过 100% 雪崩测试
应用领域
- 用于软开关升压 PFC 开关
- HB、AHB 或 LLC 半桥和全桥拓扑
- 移相桥(ZVS)、LLC 应用服务器电源
- 电信电源、电动汽车充电、太阳能逆变器